GQGF Electronic - Industrial Automation Components Supplier
Category

Category

NTH4L025N065SC1


Price: 24.20 $ 24.20 $ (Без НДС)
  • марка :onsemi
  • Артикул :NTH4L025N065SC1
  • Описание :SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
  • Состояние: Оригинал новый
    Руководство по состоянию товара
    Оригинал новый Текущее
    100% оригинал, не использовался. Гарантия 1 год.
    Б/у
    Протестировано, работает. Гарантия 90 дней.
    Восстановленный
    Восстановлено и протестировано. Гарантия 90 дней.
    Демонтированный
    Демонтировано и протестировано. Гарантия 90 дней.
    Новый излишек
    Неиспользованный избыточный запас, упаковка может отличаться. Гарантия 1 год.
    | Гарантия: 1 год
  • в наличии : В наличии () Наличие по запросу
  • Техническое описание :NTH4L025N065SC1 Datasheet
  • Модель ECAD :ECAD Model
ISO 9001:2015
ISO 9001:2015 Certified No. 80426Q00050R000
  • Характеристики
  • информация о продукте
  • Отзывы
  • Mfronsemi
  • Series-
  • PackageTube
  • Product StatusActive
  • FET TypeN-Channel
  • TechnologySiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C99A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V, 18V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs28.5mOhm @ 45A, 18V
  • Vgs(th) (Max) @ Id4.3V @ 15.5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs164 nC @ 18 V
  • Vgs (Max)+22V, -8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3480 pF @ 15 V
  • FET Feature-
  • Power Dissipation (Max)348W (Tc)
  • Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Mounting TypeThrough Hole
  • Supplier Device PackageTO-247-4L
  • Package / CaseTO-247-4
Быстрая доставка по всему миру
100% оригинальные компоненты
Гарантия качества и тестирование
Техническая поддержка 24/7