Integrated Circuits (ICs)
739344 items
шт:
Attribute | Attribute Value |
---|---|
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.425kA (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3744nC @ 18V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 90000pF @ 600V |
Mfr | GE Aerospace |
Mounting Type | Chassis Mount |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (Tc) |
Package | Bulk |
Package / Case | Module |
Power - Max | 3.75kW (Tc) |
Product Status | Active |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5mOhm @ 475A, 20V |
Series | SiC Power |
Supplier Device Package | - |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 480mA |
IRF8915PBF
HEXFET POWER MOSFET
$0.000000 Посмотреть больше
IRF8313PBF
HEXFET POWER MOSFET
$0.000000 Посмотреть больше
IRF7311PBF
HEXFET POWER MOSFET
$0.000000 Посмотреть больше
AUIRF9952QTR
AUIRF9952 HEXFET POWER MOSFET
$0.000000 Посмотреть больше
VN0606M
N-CHANNEL, MOSFET
$0.000000 Посмотреть больше
Mosfet Array
Доставка | Грузовые рейсы авиакомпании Южный авиаперевозчик осуществляют прямые рейсы в Москву, либо доставка осуществляется через CDEK курьерскую службу. |
Время отправки |
Обычно отправляется в течение 3 рабочих дней. |
Бесплатная доставка для заказов свыше 30000 юаней и весом до 1 кг.
Свяжитесь с нами в любое время, 24 часа в сутки.
100% защита платежей
Простая политика возвратов.